STP14NK60ZFP

STP14NK60ZFP是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在硅片层面实现了卓越的电气性能平衡。其核心设计旨在有效管理高电压下的电场分布，从而在保持高击穿电压的同时，显著降低单位面积的导通电阻，这是其高性能表现的基石。

该器件最突出的特性在于其优异的静态与动态性能组合。它具备高达600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级应用中的高压应力。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、6A电流条件下典型值仅为500毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在75nC，较低的栅极电荷有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简单、成本更低的驱动电路来实现快速开关，这对于高频开关电源设计至关重要。

在接口与参数层面，STP14NK60ZFP提供了稳健的操作窗口。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值可达13.5A，最大功率耗散为40W，展现了强大的电流处理与散热能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。器件采用TO-220FP封装，这是一种广泛使用的通孔安装封装，自带隔离安装孔，便于在需要电气隔离的场合直接安装在散热器上，简化了系统装配与热管理设计。用户可以通过正规的ST代理商获取该产品的技术支持和供应保障。

基于其高耐压、低导通损耗和良好的开关特性，STP14NK60ZFP非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器桥臂、不同断电源（UPS）系统以及电子镇流器等。在这些应用中，它能够有效提升能源转换效率，减少热量产生，并凭借其坚固的设计确保系统长期稳定运行。

• 型号:STP14NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP14NK60ZFP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与低至500毫欧（@10V， 6A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低导通损耗，提升系统能效。

此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为75nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关场景。器件采用TO-220FP通孔封装，在25°C壳温下可承受13.5A的连续漏极电流，功率耗散达40W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，为工业级电源转换和电机控制应用提供了可靠、高效的解决方案。