STP15N60M2-EP

STP15N60M2-EP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺技术，在单位面积内实现了更低的导通电阻与栅极电荷的优异平衡。这种架构有效降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。它具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），确保了在高压应用中的可靠性与安全裕度。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在10V驱动电压下，仅为378毫欧（@5.5A），这直接转化为更低的通态功耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，简化了栅极驱动电路的设计。

在接口与参数层面，该器件在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为11A，最大功耗为110W（Tc），展现了强大的电流处理与散热能力。其栅源电压（Vgs）支持±25V的宽范围，提供了设计灵活性。器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器，适用于需要良好热管理的场合。其宽泛的工作结温（TJ）范围为-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境要求，保障了系统的长期稳定性。用户可通过授权的ST代理商获取完整的技术资料与供应链支持。

凭借高压、低损耗和高可靠性的特点，STP15N60M2-EP非常适合于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及高效照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减少热量产生，并增强整体方案的功率密度与鲁棒性。

• 型号:STP15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP15N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2-EP产品系列。该器件设计用于高压、高效率的功率开关应用。

其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流额定值，提供了坚固的耐压与载流能力。关键性能亮点在于其优异的动态与静态特性平衡：极低的导通电阻（最大378mΩ @ 5.5A, 10V）确保了最小的传导损耗，而较低的栅极电荷（最大17nC @ 10V）则有利于实现高速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业环境。