STP15N80K5

STP15N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，在高压、高功率开关应用中实现了优异的性能平衡。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了出色的开关特性和坚固性，为设计工程师提供了一个高效可靠的功率开关解决方案。

该器件具备800V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达14A，配合仅375mΩ（典型条件下）的低导通电阻，有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Q_g）最大值控制在32nC，这有助于降低栅极驱动电路的损耗并提升开关速度，简化驱动电路设计。

在电气参数方面，STP15N80K5展现了全面的稳健性。其栅源电压（V_GS）可承受±30V的范围，增强了抗栅极噪声干扰的能力。输入电容（C_iss）在100V条件下最大值为1100pF，与较低的栅极电荷共同确保了快速的开关瞬态响应。器件最大功耗为190W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于各种苛刻的环境。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP15N80K5非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统等场景。其TO-220封装形式便于安装散热器，满足中高功率应用的散热需求，是工程师在构建高效、紧凑型高压功率转换系统时的理想选择。

• 型号:STP15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP15N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）和14A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为375mΩ，有助于显著降低导通损耗。同时，最大32nC的低栅极电荷（Q_g）减少了开关过程中的驱动损耗，提升了工作效率。这些特性使其成为开关电源、照明驱动及工业电源等应用中高效功率开关的理想选择。