STP15NK50ZFP

STP15NK50ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术架构，通过优化的单元设计和工艺，在硅片层面实现了低导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心设计目标是在高达500V的电压平台上，提供高效的功率开关性能，同时兼顾系统的可靠性与成本效益。

该器件的一个显著特点是其优异的导通电阻特性，在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下，其Rds(on)典型值仅为340毫欧。这一低导通损耗特性直接转化为更低的通态功耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在106nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，简化栅极驱动电路的设计，并支持相对较高的开关频率应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力和驱动设计裕度。

在电气参数方面，STP15NK50ZFP的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为14A，最大功率耗散为40W（Tc）。其工作结温范围覆盖-50°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。该器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，其“FP”后缀表示全塑封装（无裸露金属片），在满足电气绝缘要求的同时，提供了良好的散热路径。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。

得益于500V的高压耐受能力和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和控制的离线式开关电源（SMPS）初级侧，例如PC电源、工业电源适配器和LED驱动电源。此外，它也常被用于电机驱动控制、电子镇流器以及UPS（不间断电源）系统中的功率开关环节。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有设备和维修市场中仍占有一席之地。

• 型号:STP15NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP15NK50ZFP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）与低至340毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压开关应用中有效降低导通损耗，提升能效。

其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压下即可实现低导通阻抗，同时最大栅极电荷（Qg）仅为106nC，有利于实现快速的开关切换并控制驱动损耗。器件采用TO-220FP全塑封装，在壳温条件下支持14A的连续电流和40W的功率耗散，工作结温范围宽达-50°C至150°C，为各种电源转换和电机控制应用提供了坚固可靠的解决方案。