STP15NM60N

STP15NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其第二代MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其核心设计旨在实现低开关损耗与高开关频率下的稳定运行，这对于提升开关电源等系统的整体效率至关重要。该技术架构确保了在高压工作条件下，器件内部电场分布更为均匀，从而增强了雪崩能量（EAS）的耐受能力，提升了应用的可靠性。

作为MDmesh II系列的一员，该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换中常见的电压应力。在25°C管壳温度（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，结合低至299毫欧（典型值）的导通电阻（在7A，10V条件下测得），意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，减少发热。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，而较低的栅极电荷（Qg，最大值37nC @ 10V）和输入电容（Ciss）有助于减少驱动电路的负担，实现更快的开关速度，这对于高频PWM应用是显著优势。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达125W（Tc）的功率耗散能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的适应性。栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。值得注意的是，尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在存量市场和特定设计中仍有应用价值，用户可通过正规的ST一级代理渠道获取库存或替代产品信息。

基于其高压、低导通电阻和快速开关的特性，STP15NM60N非常适用于需要高效能功率处理的场合。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器模块、不同断电源（UPS）系统以及高频照明镇流器。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少体积，并增强整体方案的鲁棒性。

• 型号:STP15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP15NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件采用先进的垂直沟槽技术，核心优势在于实现了600V高阻断电压与低导通电阻（Rds(on)）的良好平衡，旨在优化高压开关应用的效率。

其关键电气参数包括：在管壳温度25°C下，连续漏极电流额定值为14A；在10V驱动电压下，导通电阻典型值低至299毫欧。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性有助于实现快速的开关瞬态，减少开关损耗。器件采用TO-220AB封装，最大功耗为125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适合要求高可靠性的工业环境。