STP160N3LL

STP160N3LL是ST意法半导体基于其先进的STripFET H6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低功率损耗，通过精密的单元布局和沟槽栅极技术，有效减少了硅片面积上的导通阻抗，同时维持了稳健的栅极控制能力，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达120A，而导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、60A Id条件下典型值仅为3.2毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极驱动设计兼容性强，标准4.5V至10V的驱动电压即可实现完全导通，最大栅极电荷（Qg）低至42nC（@4.5V），这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，特别适合高频开关应用。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的抗干扰鲁棒性。

在电气参数方面，STP160N3LL具备30V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常用低压总线应用中的安全裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，提供了明确的导通与关断界限。器件采用经典的TO-220通孔封装，最大功耗为136W（Tc），并支持宽达-55°C至175°C的结温工作范围，展现了出色的热性能和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

凭借其高电流、低阻抗和快速开关的特性，此器件非常适合用于对效率要求苛刻的DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动控制器以及各类电源管理模块中。常见应用场景包括服务器电源、工业电源、电动工具、电池保护板及大电流负载开关等，是工程师在设计和优化中低压、大电流功率路径时的理想选择。

• 型号:STP160N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP160N3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其高达120A的连续漏极电流承载能力与极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为3.2毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效。

其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷（Qg）低至42nC，有利于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关电源拓扑。器件额定漏源电压为30V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机驱动等大电流、高效率应用的优选功率开关解决方案。