STP16N50M2

STP16N50M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和沟槽栅技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速响应能力和坚固性。

该MOSFET具备一系列显著的功能特点。其额定漏源电压（Vdss）高达500V，使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中的高压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达13A，提供了可观的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在电气参数与接口方面，STP16N50M2的标准驱动电压为10V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。其栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，为驱动电路提供了安全裕量。器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器，其最大功率耗散为110W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。对于需要可靠货源和全面技术支持的用户，可以咨询专业的ST一级代理获取相关服务。

得益于其高压、低损耗的特性组合，STP16N50M2非常适合于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机控制与驱动、UPS（不间断电源）以及照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能效等级，减少热量产生，并增强系统的功率密度与可靠性。

• 型号:STP16N50M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:710 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP16N50M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP16N50M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其500V的高漏源击穿电压与13A的连续电流处理能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通特性，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了高效的开关性能。这些特性使其成为追求高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动及工业控制系统的理想选择。