STP170N8F7

ST意法半导体推出的STP170N8F7是一款采用先进STripFET F7技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，其核心在于通过精细的单元结构和先进的沟槽工艺，在保持高可靠性的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（V_DSS）为80V，在25°C壳温条件下可支持高达120A的连续漏极电流，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、60A漏极电流的典型工作条件下，最大值仅为3.9毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件具有优化的栅极电荷（Q_g）特性，在10V V_GS下最大值为120nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STP170N8F7采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±20V的栅源电压，增强了应用的鲁棒性。器件的热性能卓越，最大功率耗散可达250W（T_C=25°C），结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要本地化技术支持和供应链服务的客户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料和设计协助。

凭借其高电流能力、低导通电阻和良好的开关特性，STP170N8F7非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用作同步整流器、电机驱动控制器中的开关元件，以及各类DC-DC转换器（如服务器电源、工业电源）中的主开关或续流开关。其坚固的封装和宽温度范围也使其成为汽车电子（如电动水泵、风扇控制）和工业自动化领域中高可靠性设计的理想选择。

• 型号:STP170N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP170N8F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下最大值仅为3.9mΩ，配合120A的连续漏极电流能力，可显著降低传导损耗。

此外，该MOSFET具备80V的漏源击穿电压和优化的栅极电荷（典型值120nC @ 10V），有助于实现快速的开关动作并减少驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗250W，确保了在高功率密度应用及苛刻环境下的可靠性与稳定性。