STP17N62K3

STP17N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，其核心设计旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。通过优化的单元结构和先进的工艺技术，该芯片在单晶片上集成了高性能的功率开关功能，为高效率的能量转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备620V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级应用中的高压应力和电压尖峰，确保了系统的可靠性与鲁棒性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于降低开关过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关速度更快、控制更精准。

在电气参数上，STP17N62K3在壳温（Tc）条件下可支持高达15.5A的连续漏极电流，其最大栅源电压（Vgs）范围为±30V，提供了宽裕的安全工作区。其阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了良好的噪声抑制能力和可靠的关断状态。尽管该产品目前已处于停产状态，但其190W（Tc）的功率耗散能力和高达150°C的结温（TJ）工作范围，曾使其成为要求严苛的功率应用中的可靠选择。对于库存或替代需求，建议通过正规的ST授权代理进行咨询，以获取准确的供应信息和技术支持。

得益于其高电压、大电流和良好的开关特性，这款器件非常适用于开关模式电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及工业照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效承担功率转换的核心任务，帮助系统实现紧凑的设计、高功率密度以及稳定的长期运行。

• 型号:STP17N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 15.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP17N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件的核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）与较低的导通电阻特性，这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

其规格参数显示，在壳温条件下可支持15.5A的连续电流，并具备优化的栅极电荷，有助于实现快速的开关速度并简化驱动设计。该器件设计用于高要求的功率转换场景，但需注意其目前已处于停产状态。