STFU24N60M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STFU24N60M2是一款基于先进的MDmesh M2技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，通过创新的单元布局和工艺改进，在单位芯片面积内实现了更低的导通电阻与栅极电荷的优异平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过降低栅漏电荷（Qgd）和优化内部电容，显著提升了开关性能，同时保持了高耐压能力，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

在电气特性方面，STFU24N60M2具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力，确保了其在高压环境下的可靠运行。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、9A电流条件下典型值仅为190毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在29nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需能量更少，能够实现更快的开关速度和更高的工作频率，从而优化系统整体效率。对于需要稳定供应的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

该器件采用标准的TO-220FP封装，这是一种带绝缘安装孔的直插式封装，便于散热器安装并实现良好的电气隔离，其最大功率耗散为30W（Tc）。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。这些接口与参数特性共同指向了对系统可靠性、功率密度和热管理的综合考量。

基于其高性能指标，STFU24N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中，其快速开关和低损耗特性有助于提升系统能效等级，降低散热需求，从而实现更紧凑、更节能的设计方案。

• 型号:STFU24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU24N60M2是ST意法半导体MDmesh M2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其600V/18A的额定值，结合其低至190毫欧（@10V，9A）的导通电阻和仅29nC的栅极电荷，在高压应用中实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。

其技术特性支持高效率与高频率运行，适用于开关电源、电机驱动等功率转换领域。宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和30W的功率耗散能力确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。