STP180N55F3

STP180N55F3是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构通过优化单元密度和沟槽设计，有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的栅极控制能力，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值极低，在60A电流条件下最大仅为3.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。高达120A的连续漏极电流（T_C=25°C）和330W的功率耗散能力，使其能够处理大功率负载。其栅极电荷（Q_g）典型值控制在较低水平，有助于减少开关损耗，提升高频开关应用中的性能。此外，其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了良好的栅极驱动安全裕度。

在电气参数方面，该器件额定漏源电压（V_DSS）为55V，适用于常见的48V或更低电压总线系统。其阈值电压（V_GS(th)）特性确保了可靠的导通与关断控制。采用标准的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上以充分发挥其功率处理能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关技术资料与采购信息。

凭借其优异的性能组合，STP180N55F3非常适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常被用于服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、大电流开关电源以及不间断电源（UPS）系统中的同步整流和功率开关模块。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）也保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类解决方案中仍具有参考价值。

• 型号:STP180N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP180N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，旨在最大化功率转换效率。

其关键电气参数包括55V的漏源电压（V_DSS）和高达120A（T_C=25°C）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为3.8毫欧（@60A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。

这些特性使其非常适合应用于需要高效能和高可靠性的中高功率领域，例如开关电源、电机驱动和电源管理模块。