STD1HN60K3

STD1HN60K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH3系列N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型DPAK封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心架构通过优化的单元设计和第三代SuperMESH工艺，在硅片层面实现了高阻断电压与低导通电阻之间的出色平衡。其栅极结构经过特别设计，旨在提升开关性能的稳定性和可靠性，为高压开关应用提供了一个坚固且高效的基础平台。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级AC-DC转换及离线式开关电源中常见的电压应力。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值表现优异，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Qg）典型值较低，结合140pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现更快的开关速度并简化栅极驱动电路的设计，从而降低系统开关损耗和电磁干扰（EMI）。

在电气参数上，STD1HN60K3在25°C壳温（Tc）条件下可支持1.2A的连续漏极电流，最大功率耗散为27W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。阈值电压（Vgs(th)）最大值设计合理，确保了良好的噪声抑制与可靠的导通控制。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境温度要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高压能力、良好的开关特性以及DPAK封装带来的紧凑性与散热优势，该器件非常适合应用于小功率至中功率的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动辅助电源等场景。它是工程师在设计高效、紧凑型高压功率转换方案时，一个值得考虑的可靠选择。

• 型号:STD1HN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD1HN60K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压与经过优化的低导通电阻特性，使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗。

其技术参数针对高效开关进行了调校，包括较低的栅极电荷和输入电容，有助于提升开关速度并减少驱动损耗。器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为1.2A，最大功率耗散27W，且工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各类环境下的稳定性和可靠性，适用于要求紧凑设计与高效能的小功率电源转换领域。