STU2NK100Z

STU2NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造工艺，在单晶硅上实现了优异的性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，即优值系数（FOM），从而在高压开关应用中显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。

该芯片的关键特性在于其卓越的高压处理能力和高效的开关性能。其漏源击穿电压（V_DSS）高达1000V，为离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压环境提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其最大导通电阻仅为8.5欧姆（在900mA条件下），配合较低的栅极总电荷（Q_g）典型值16nC，确保了快速的开通与关断速度，有助于减少开关过渡过程中的功率损耗。此外，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则增强了栅极驱动的鲁棒性。

在电气参数与物理封装上，STU2NK100Z在壳温（T_C）条件下支持1.85A的连续漏极电流，最大功耗为70W。其输入电容（C_iss）在25V条件下最大为499pF，这一参数与低栅极电荷共同决定了其易于驱动的特性。器件采用通孔安装的I-PAK（也称为TO-251）封装，这种封装在提供良好散热能力的同时，保持了紧凑的占板面积，便于在空间受限的应用中进行布局。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和坚固的封装，这款MOSFET非常适用于需要高效高压开关的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机控制的辅助电源以及家用电器中的功率转换模块。在这些场景中，它能够帮助设计工程师实现更高的功率密度、更低的温升和更优的系统成本效益，是构建高效、可靠功率系统的关键组件之一。

• 型号:STU2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU2NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件专为高压开关应用而优化，其核心优势在于1000V的高漏源电压（V_DSS）与低导通电阻（R_DS(on)）的良好结合，确保了在高压环境下仍能保持较低的导通损耗。

该MOSFET在10V栅极驱动下，最大导通电阻为8.5欧姆，同时具备较低的栅极电荷（Q_g典型值16nC），这有助于实现快速的开关切换，从而有效降低开关损耗，提升整体能效。其采用通孔式I-PAK封装，最大功耗达70W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的电源转换和电机控制解决方案提供了坚实的硬件基础。