STP190N55LF3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP190N55LF3是一款基于先进STripFET技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和制造工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低功率损耗，提升系统能效，同时确保在高电流、高频率工作条件下的可靠性与热稳定性，为要求严苛的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为55V，在25°C壳温条件下可支持高达120A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.7毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。器件具有2.5V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th)），便于与低压逻辑电路或控制器直接接口，简化了驱动设计。此外，其栅极总电荷（Qg）在5V Vgs下最大值为80nC，结合6200pF（最大值）的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升整体转换效率。

在接口与参数方面，STP190N55LF3采用标准的TO-220-3通孔封装，便于安装和散热管理。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±18V，提供了安全的驱动裕量。器件的最大功率耗散能力为312W（Tc），并且结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了其在恶劣环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，并获得相应的技术支持。

凭借其高性能参数，STP190N55LF3非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它常被用作同步整流、DC-DC转换器中的主开关管、电机驱动控制以及不间断电源（UPS）系统中的功率级。在服务器电源、工业自动化设备和新能源领域（如太阳能逆变器的初级侧或次级侧），该器件能够有效提升系统能效，减少散热需求，从而帮助设计者实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。

• 型号:STP190N55LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP190N55LF3是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。该器件额定漏源电压55V，在壳温25°C下可承受高达120A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、30A Id条件下，导通电阻典型值仅为3.7毫欧。同时，它拥有2.5V的低栅极阈值电压和80nC（@5V Vgs）的低栅极电荷，这有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。这些特性使其成为高电流、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。