STP19NF20

STP19NF20是ST意法半导体基于其先进的MESH OVERLAY工艺技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，其内部架构通过优化的单元布局和沟道设计，在确保高耐压的同时，有效降低了导通电阻和栅极电荷，实现了开关性能与导通损耗之间的出色平衡。这种设计使其在高压开关应用中能够提供高效、可靠的功率处理能力。

该MOSFET的核心特性包括高达200V的漏源击穿电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id）承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、7.5A电流条件下典型值仅为160毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为24nC（@10V），结合±20V的宽栅源电压（Vgs）耐受范围，意味着器件具备快速的开关速度和良好的驱动兼容性，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在电气参数方面，STP19NF20的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。其输入电容（Ciss）最大值为800pF，有助于进一步优化高频开关性能。器件在管壳温度（Tc）下最大功率耗散为90W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行和长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的批量项目，建议通过官方授权的ST一级代理进行采购。

凭借其高压、大电流、低损耗的特性组合，STP19NF20非常适合应用于开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）和逆变器等工业与消费类功率电子系统。其TO-220AB封装形式兼顾了散热性能与安装便利性，是工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的可靠选择。

• 型号:STP19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP19NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件基于MESH OVERLAY技术，提供了200V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中高压功率开关应用。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。导通电阻（Rds(on)）低至160毫欧（@10V，7.5A），能显著降低导通损耗。同时，最大24nC的低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。

器件支持高达90W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备高可靠性和鲁棒性，是开关电源、电机驱动、逆变器等功率转换电路的理想选择。