STP200N3LL

ST意法半导体推出的STP200N3LL是一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道功率场效应晶体管，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件采用成熟的TO-220封装，提供了优异的功率处理能力和热传导路径，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，Rds(ON)典型值仅为2.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在53nC（@4.5V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关转换，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，提供了较强的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，STP200N3LL具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达120A（Tc=25°C）的连续漏极电流能力，最大功率耗散为176.5W。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，标准驱动电压为10V，兼容常见的逻辑电平与标准驱动电路，易于设计使用。对于需要可靠货源和稳定供应的项目，可以咨询专业的ST一级代理以获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高电流处理能力、低导通电阻和良好的开关特性，这款器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括同步整流、电机驱动控制、大电流DC-DC转换器、电池保护电路以及各类电源管理模块。在服务器电源、工业自动化设备和电动工具等产品中，它能有效提升功率级的性能，是工程师实现高效、紧凑型功率解决方案的可靠选择。

• 型号:STP200N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 120A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP200N3LL是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(ON)典型值2.4mΩ @ 10V, 60A）与高电流承载能力（连续漏极电流Id高达120A），这使其在功率开关应用中能显著降低传导损耗，提升系统整体效率。

该器件具备30V的漏源电压（Vdss）和优化的栅极电荷（Qg），支持快速开关操作，适用于高频开关场景。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了在恶劣环境下的可靠运行。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流DC-DC转换器等高效功率电路的理想选择。