STTH1R02ZF

STTH1R02ZF是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用表面贴装SOD-123F封装的标准整流二极管。该器件采用优化的平面结构设计，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡。其核心在于实现了快速恢复特性与低正向压降的兼顾，反向恢复时间（trr）典型值仅为32纳秒，这使其在开关频率较高的电路中能有效降低开关损耗并抑制电压尖峰，提升系统效率与可靠性。

该二极管的功能特点突出体现在其快速开关能力与稳健的电气参数上。其最大反向重复电压（Vrrm）达到200V，平均正向整流电流（Io）为1A，能够满足多数中低功率场景的耐压与载流需求。在1A的额定电流下，其典型正向压降（Vf）仅为1V，这有助于降低器件导通状态下的功率损耗，减少发热。同时，在最高反向电压200V条件下，其反向漏电流（Ir）典型值低至500nA，体现了出色的反向阻断特性，有助于提升系统的待机或关断效率。其快速恢复特性（≤500ns）使其特别适用于需要快速关断的场合。

在接口与参数方面，STTH1R02ZF采用标准的双引脚SOD-123F表面贴装封装，具有良好的焊接工艺兼容性和空间利用率，适合高密度PCB板设计。其工作结温范围宽，确保了在各类环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术资料。这些参数共同构成了该器件高可靠性、高效率的技术基础。

基于其200V/1A的额定值与快速恢复特性，STTH1R02ZF非常适合应用于开关电源（SMPS）的次级侧整流、高频DC-DC转换器、续流二极管、反极性保护以及LED照明驱动等场景。在适配器、电视电源板、工业控制电源等产品中，它能有效提升电源转换效率，并凭借快速的恢复速度减少电磁干扰（EMI）。其紧凑的SOD-123F封装也使其成为空间受限的便携式设备或高密度模块化设计的理想选择。

• 型号:STTH1R02ZF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOD-123F
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:标准
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):32 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 200 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOD-123F
• 供应商器件封装:SOD-123F
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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STTH1R02ZF是ST意法半导体生产的一款通用快速恢复整流二极管，采用SOD-123F表面贴装封装。其核心电气参数为200V最大反向电压与1A平均整流电流，在1A电流下正向压降典型值仅为1V，实现了低导通损耗。

该器件的关键特性在于其快速恢复性能，反向恢复时间（trr）典型值低至32ns，属于快速恢复类型（≤500ns）。这一特性使其在高频开关电路中能显著降低开关损耗和噪声，同时其200V下的反向漏电流极低（典型500nA），确保了高效可靠的反向阻断能力。