STP200N6F3

STP200N6F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，专为高电流、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）的平衡，通过先进的沟槽工艺实现了极低的单位面积导通阻抗，从而在紧凑的封装内承载高达120A的连续漏极电流（T_C=25°C时）。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，在60A电流条件下最大值仅为3.9毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Q_g）在10V条件下最大值为100nC，结合6800pF的输入电容（C_iss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关电源和电机驱动应用至关重要。

在电气参数方面，STP200N6F3具备60V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了充足的电压裕量以应对线路上的浪涌和尖峰。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，确保了驱动的鲁棒性。器件的阈值电压（V_GS(th)）最大为4V，具有较好的噪声抑制能力。其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，配合TO-220AB封装良好的散热能力（最大功率耗散330W，T_C条件下），使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。用户可通过授权的ST代理商获取该器件的详细规格书与技术支持。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的同步整流和初级侧开关、大功率DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、无人机电调）、以及不间断电源（UPS）和电池保护电路中的功率开关部分。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然是一个经典的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STP200N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP200N6F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心参数包括60V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C时高达120A的连续漏极电流。

其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，60A电流时的导通电阻最大值仅为3.9毫欧。同时，100nC的最大栅极电荷（Qg @ 10V）有助于实现高效的开关性能。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为330W（Tc），确保了在 demanding 环境下的可靠性与散热能力。