STP20N20

STP20N20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，专为需要高效功率切换和管理的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，通过先进的沟槽栅极工艺，在保证高击穿电压的同时，有效降低了传导损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压（V_DSS）和18A的连续漏极电流（I_D）承载能力，这使其能够在高压大电流环境下稳定工作。其导通电阻在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下典型值仅为125毫欧，较低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在39nC，结合940pF的输入电容（C_iss），意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关损耗。

在电气参数方面，ST中国代理提供的技术资料显示，STP20N20的栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其栅源电压（V_GS）可承受±20V的范围，为驱动电路提供了宽松的设计裕度。器件最大功率耗散能力为90W（壳温条件下），工作结温范围覆盖-50°C至150°C，展现了宽温域下的可靠性。标准的TO-220AB封装提供了优异的散热性能和便捷的机械安装方式。

凭借其高压、大电流、低导通电阻和快速开关特性，STP20N20非常适用于开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制、不间断电源（UPS）、工业逆变器以及各类功率转换模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在同类历史产品中仍具有参考价值，适用于对成本敏感且对现有设计进行维护或小批量生产的场景。

• 型号:STP20N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP20N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-220AB通孔封装。该器件核心特性包括200V的漏源电压（V_DSS）和18A的连续漏极电流（I_D）处理能力，适用于中高功率应用场景。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下导通电阻（R_DS(on)）典型值低至125毫欧（@10A），能有效降低传导损耗。同时，39nC的较低栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关，提升系统效率。器件设计工作结温范围为-50°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。