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HD1760JL

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 800V 36A TO-264
原厂封装:封装:TO-264
优势价格,HD1760JL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HD1760JL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

HD1760JL是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管(BJT),采用经典的TO-264封装,专为高电压、大电流的开关及线性放大应用而设计。该器件集成了高达800V的集电极-发射极击穿电压(VCEO)和36A的连续集电极电流(IC)能力,使其能够在严苛的电气环境下稳定工作,最大功耗可达200W。其内部结构经过优化,旨在提供坚固的雪崩耐量和可靠的二次击穿性能,这对于工业电源和电机驱动等应用中的过压保护至关重要。

该晶体管的核心优势在于其高耐压与大电流处理能力的结合。在饱和状态下,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))典型值较低,例如在18A集电极电流和4.5A基极电流条件下,最大值为2V,这有助于降低导通损耗,提升系统整体效率。其直流电流增益(hFE)在18A、5V条件下最小值为5,表明其具备良好的电流驱动能力,能够有效简化基极驱动电路的设计。此外,高达150°C的结温(TJ)工作范围确保了其在高温环境下的可靠性,而集电极截止电流(ICES)最大仅为200A,体现了优异的关断特性。

在接口与参数方面,HD1760JL采用通孔安装的TO-264-3(也称为TO-264AA)封装,这种封装形式提供了出色的散热性能和机械强度,便于通过散热片进行热管理。其电气参数组合,包括高VCEO、高IC、可接受的VCE(sat)以及宽工作温度范围,共同定义了一款适用于高压功率转换场景的经典器件。对于需要此类高性能分立器件的项目,可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

基于其技术特性,该器件主要面向要求高可靠性和高功率密度的工业与消费电子应用。典型的应用场景包括离线式开关电源(SMPS)的功率开关级、电子镇流器、UPS(不间断电源)系统以及大功率音频放大器的输出级。其高耐压特性使其特别适用于直接整流后高压直流母线(如220V AC整流后)的开关控制,是构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件之一。

  • 型号:HD1760JL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-264
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 800V 36A TO-264
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):36 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):800 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):2V @ 4.5A,18A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):200A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):5 @ 18A,5V
  • 功率 - 最大值:200 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商器件封装:TO-264
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HD1760JL是ST意法半导体生产的一款NPN双极性功率晶体管,采用TO-264封装。该器件提供了800V的高集射极击穿电压和36A的最大集电极电流处理能力,最大功耗为200W,适用于高压大电流的功率开关与放大电路。

其关键电气参数包括:在18A集电极电流下,集射极饱和压降最大值为2V,有助于降低导通损耗;直流电流增益(hFE)在同等条件下最小值为5,确保了有效的电流驱动。器件支持高达150°C的结温工作,并具备低至200A的集电极截止电流,平衡了功率处理能力、效率与关断特性,适用于要求严苛的工业电源和电机控制应用。

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