STP20N95K5

STP20N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220-3通孔封装，其核心设计旨在实现高压环境下优异的开关性能与导通效率的平衡。通过优化的单元结构和沟槽工艺，该芯片在维持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，这是其高性能架构的关键所在。

该MOSFET具备950V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业级开关电源中常见的电压应力与尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达17.5A，结合仅330毫欧（@9A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通期间具有极低的功率损耗，从而提升系统整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在动态特性方面，STP20N95K5表现出色。其栅极总电荷（Qg）最大值仅为40nC（@10V），配合1500pF（@100V）的典型输入电容（Ciss），使得开关转换过程迅速，有助于降低高频应用中的开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，最大功率耗散能力为250W（Tc），确保了在苛刻环境下的可靠性与长期稳定性。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障供应链可靠性的重要途径。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，此器件非常适用于对效率和可靠性要求极高的场合。典型应用包括工业开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的功率转换部分，以及照明领域的大功率LED驱动和电子镇流器等。其TO-220封装形式兼顾了散热性能与安装便利性，是工程师在构建高功率密度、高效率电源解决方案时的理想功率开关选择。

• 型号:STP20N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP20N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220-3封装，核心特性包括高达950V的漏源电压（Vdss）和17.5A的连续漏极电流（Id），专为应对高压、大电流的严苛应用环境而设计。

其技术优势体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为330毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的动态参数，如最大40nC的栅极电荷（Qg），确保了快速、高效的开关行为，有助于减少开关损耗并提升工作频率。

综合其高耐压、低阻抗及稳健的电气特性，STP20N95K5主要面向工业级开关电源、功率因数校正电路、UPS系统以及大功率照明驱动等需要高可靠性和高效率的功率转换领域。