STP20NF20

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STP20NF20是一款采用成熟平面工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与高开关速度之间的出色平衡。该器件采用TO-220AB通孔封装，提供了优异的导热路径，便于安装在散热器上，确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其200V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C壳温下高达18A的连续漏极电流（Id）能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下典型值仅为125毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在39nC（@10V），结合940pF的输入电容（Ciss），意味着它需要较少的驱动能量即可快速切换，有利于简化驱动电路设计并提升开关频率。

在接口与电气参数方面，STP20NF20的栅源电压（Vgs）额定值为±20V，提供了宽裕的安全工作范围。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。该器件支持高达110W（Tc）的功率耗散，并且其结温工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在苛刻环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关服务。

凭借其高电压、大电流和快速开关的综合性能，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥电路、不间断电源（UPS）的功率级，以及各类工业级DC-DC转换器和逆变器。其坚固的TO-220封装也使其成为需要高功率密度和良好散热性能的消费类及工业类产品的理想选择。

• 型号:STP20NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP20NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压和电流处理能力。

其技术优势体现在低至125毫欧（@10V，10A）的导通电阻，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。同时，39nC的较低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关特性，有利于在高频开关电源等应用中减少开关损耗并优化电磁兼容性（EMC）表现。