STP20NM50FP

STP20NM50FP是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP绝缘型封装，其核心设计旨在高压开关应用中实现高效率与高可靠性。其架构通过优化的单元结构和垂直导电沟道，在高达550V的漏源电压（Vdss）下，有效平衡了导通损耗与开关性能。得益于MDmesh技术特有的多外延层和沟槽栅结构，该MOSFET在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），这是其高性能表现的关键基础。

该器件的功能特性突出体现在其优异的电气参数上。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达20A，而导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、10A漏极电流下典型值仅为250毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在56nC（@10V），结合1480pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升开关电源的工作频率。此外，其栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±30V，提供了稳健的驱动安全裕度，而高达150°C的结温（Tj）工作范围确保了其在严苛环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，STP20NM50FP采用标准的通孔安装TO-220FP封装，这种封装自带绝缘片，便于散热器安装并简化了电气绝缘设计。其关键直流参数包括5V（@250A）的最大栅极阈值电压（Vgs(th)），确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。器件的最大功率耗散能力为45W（Tc），结合其热特性，要求在设计时充分考虑散热路径。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与供应链服务。

凭借550V的高耐压和20A的电流处理能力，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）中，例如服务器电源、通信电源和工业电源的PFC（功率因数校正）电路及主开关拓扑。它也常见于电机驱动控制、UPS（不间断电源）系统以及高效照明（如HID灯电子镇流器）等高压功率转换场景。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能，使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要的参考价值和应用延续性。

• 型号:STP20NM50FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP20NM50FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心电气规格包括550V的漏源击穿电压（Vdss）和20A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至250毫欧（@10A），能有效降低传导损耗；同时，最大56nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升整体能效。器件工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其非常适用于开关电源、电机驱动及功率转换等领域的核心功率开关部位。