STY50N105DK5

STY50N105DK5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式MAX247封装，专为应对高电压、大电流的严苛应用环境而设计，其核心架构通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在确保极高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，从而在功率密度和能效之间取得了卓越的平衡。

该MOSFET的突出特性在于其1050V的超高漏源击穿电压（Vdss）与低至120毫欧（典型值）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达44A，最大功率耗散能力达到625W，展现了强大的功率处理能力。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力和易驱动性。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在175nC，结合6600pF的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，提升高频开关性能，使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C，具备高度的环境适应性。如需获取官方技术支持和正品保障，建议通过ST授权代理进行采购。

在电气参数方面，该器件提供了极高的可靠性裕度。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，增强了驱动电路的鲁棒性。优异的FOM（品质因数，即Rds(on)*Qg）表现，使其成为追求高效率解决方案的理想选择。MAX247封装不仅提供了优异的导热路径，便于散热管理，其通孔设计也确保了在振动环境下机械连接的牢固性，适用于工业级产品。

凭借其高压、低损耗、高可靠性的特点，STY50N105DK5非常适合于工业电源、三相电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机及大功率开关电源等应用场景。在这些领域中，它能够有效承担主功率开关或同步整流的关键角色，帮助系统设计实现更高的功率密度、更优的整机效率以及更长的使用寿命。

• 型号:STY50N105DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 22A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:175 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY50N105DK5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用MAX247通孔封装，核心电气参数包括1050V的漏源电压（Vdss）和44A的连续漏极电流（Id），具备强大的高压大电流处理能力。

其技术优势体现在极低的导通电阻（Rds(on)典型值为120mΩ @ 10V, 22A）与优化的开关特性（栅极电荷Qg最大值为175nC）的结合，这有助于显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和高达625W的功率耗散能力，确保了其在严苛工业环境下的高可靠性与稳定性。