STP210N75F6

STP210N75F6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220通孔封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构融合了优化的单元布局与先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与优异的开关性能平衡，从而有效降低传导损耗与开关损耗，提升系统整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达75V，为设计提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达120A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流的测试条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，最大值仅为3.7毫欧，这直接转化为更低的导通压降和更少的热量产生。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为171nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低栅极驱动电路的损耗。

在接口与参数方面，STP210N75F6的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较宽的驱动安全范围。器件的最大功耗在壳温条件下为300W，结合其宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C），确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高电流、低导通电阻及稳健的封装特性，该器件非常适合应用于对效率与功率密度要求极高的领域。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源（UPS）和电焊机等大功率能量转换设备。其设计旨在帮助工程师优化系统性能，实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STP210N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP210N75F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了高电压（75V Vdss）与大电流（120A Id）处理能力，并实现了极低的导通电阻（典型值3.7mΩ @ 10V, 60A），这显著降低了功率损耗并提升了系统效率。

该器件基于STripFET VI和DeepGATE技术，具备优化的开关特性，栅极电荷（Qg）为171nC，有助于实现快速切换并简化驱动设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和高达300W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的高可靠性，适用于要求稳健性能的工业与能源应用。