STP240N10F7

STP240N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保证高耐压（100V Vdss）的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关性能和传导损耗之间取得了卓越的平衡。

该芯片的一个突出特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和60A漏极电流条件下，典型值仅为3.2毫欧。这一特性直接转化为更低的通态损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，得益于DeepGATE技术，其栅极电荷（Qg）被控制在176nC（@10V）的较低水平，这有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化驱动电路设计并提高开关频率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达300W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。

在电气参数方面，STP240N10F7具备100V的漏源击穿电压和高达180A（Tc）的连续漏极电流能力，使其能够处理大功率负载。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声抑制能力。通孔TO-220封装形式成熟可靠，便于安装散热器以进行高效的热管理。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高性能指标，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、大电流DC-DC转换器，以及不间断电源（UPS）和电焊机等设备中的功率开关部分。其出色的性能使其成为替代传统方案、实现系统升级的理想选择。

• 型号:STP240N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:176 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP240N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件隶属于采用先进STripFET VII和DeepGATE技术的产品系列，旨在提供优异的开关性能与功率处理能力。

其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达180A（Tc）的连续漏极电流。关键优势在于极低的导通电阻（典型值3.2mΩ @10V, 60A）与优化的栅极电荷（最大值176nC @10V），这共同实现了低传导损耗与低开关损耗，显著提升系统效率。器件支持高达300W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在高负载和恶劣环境下的稳定运行。