STP28N60M2

STP28N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了出色的开关特性。这种架构使得器件在高压开关应用中能够有效管理功率损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通性能方面，在10V驱动电压（V_GS）和12A漏极电流（I_D）条件下，其导通电阻典型值仅为150毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在37nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以做得更高。

在接口与参数层面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）为25°C时可达24A，最大功耗为170W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，而栅源电压（V_GS）可承受±25V，提供了稳健的驱动兼容性和抗干扰能力。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能指标，STP28N60M2非常适合应用于对效率和可靠性要求较高的中高功率场合。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动与变频器、电焊机以及照明镇流器等。其优异的性能使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率转换系统时的优选功率开关器件。

• 型号:STP28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP28N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为600V漏源电压和24A连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻低至150毫欧（@12A），有效降低了导通损耗。同时，37nC的较低栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统整体能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换等领域的理想选择。