STP28N65M2

STP28N65M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于第二代MDmesh多漏极技术，通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关性能和坚固性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压应用中表现突出。其漏源击穿电压（Vdss）高达650V，确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等场合下的高可靠性。在25°C壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值为20A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为180毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在35nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。

在接口与参数方面，STP28N65M2采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为170W（Tc）。器件支持高达±25V的栅源电压（Vgs），提供了宽裕的驱动安全裕度。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。工作结温（Tj）最高可达150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以确保产品的正宗性和供货稳定性。

凭借其高耐压、低损耗和坚固耐用的特点，STP28N65M2非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）、电焊机以及照明镇流器等。在这些领域中，它能够有效提升功率密度和系统效率，是工程师设计高性能、高可靠性功率系统的优选功率开关器件之一。

• 型号:STP28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至180毫欧（@10A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于第二代MDmesh多漏极技术，旨在显著降低导通损耗。

在电气参数上，该MOSFET在25°C壳温下可承受20A的连续漏极电流，最大栅极电荷（Qg）为35nC，有助于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。其工作结温高达150°C，最大功率耗散为170W（Tc），确保了在高温、高功率环境下的可靠性与长寿命。这些特性使其成为追求高效率和高功率密度设计的理想选择。