STP28NM60ND

STP28NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过精密的单元几何形状和掺杂工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了稳健的雪崩耐量和快速的开关特性，为高压开关应用提供了高效可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达600V，能够从容应对工业级AC-DC变换、电机驱动等场合中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值可达23A，展现出强大的电流处理能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。此外，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）经过优化，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高达190W（Tc）的功率耗散。其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，并与±25V的最大栅源电压相结合，确保了驱动的便利性和可靠性。工作结温（T_J）最高可达150°C，赋予了其在严苛热环境下的稳定运行能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高性能参数，STP28NM60ND非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等设备。在这些场景中，其低R_DS(on)特性有助于提升能效，而高耐压和良好的动态特性则确保了系统的长期稳定性和鲁棒性。

• 型号:STP28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP28NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和23A（Tc）的连续漏极电流（I_D）额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下具有极低的导通电阻，能有效降低功率损耗。同时，优化的栅极电荷和输入电容有助于实现快速开关，提升系统频率与效率。高达150°C的工作结温（T_J）和190W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在 demanding 环境下的可靠性与散热表现。