STP2N95K5

STP2N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心架构通过优化的单元设计和沟槽工艺，在确保高阻断电压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键性能折衷，这使其在高压开关应用中能实现更低的传导损耗和开关损耗。

该芯片具备高达950V的漏源击穿电压（Vdss），这为其在恶劣的线路电压波动或感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充裕的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2A。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1A电流条件下典型值仅为5欧姆，结合低至10nC（@10V）的栅极总电荷（Qg），意味着它既易于驱动，又能实现快速高效的开关动作。其输入电容（Ciss）在100V偏压下最大值为105pF，有助于进一步简化栅极驱动电路的设计。

器件的栅源驱动电压（Vgs）最大额定值为±30V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大为5V @ 100A，确保了与常见控制器良好的兼容性和抗干扰能力。其最大结温（Tj）范围为-55°C至150°C，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为45W，展现了良好的热性能和可靠性。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，STP2N95K5非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统整体能效，增强在高压环境下的稳定性和耐用性，是工程师构建高效、紧凑型高压功率转换解决方案的优选器件之一。

• 型号:STP2N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP2N95K5是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括高达950V的漏源电压（Vdss）和2A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的电压耐受基础。

其技术优势在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至5欧姆（@1A），同时栅极电荷（Qg）极小，典型值仅为10nC。这种特性组合使得该MOSFET在开关电源等应用中能同时实现较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。