STP315N10F7

STP315N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220通孔封装，专为要求高功率密度和高可靠性的应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道设计，旨在实现极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的优异平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的电气性能上。其漏源电压（V_DSS）额定值为100V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）高达180A，最大功率耗散为315W，展现出强大的电流处理与功率承载能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、60A电流条件下，R_DS(on)最大值仅为2.7毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值较低，有助于实现快速开关并降低栅极驱动电路的损耗，使其非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STP315N10F7的标准驱动电压（V_GS）为10V，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了与常见逻辑电平或驱动器良好的兼容性。其栅源电压最大可承受±20V，提供了充足的驱动安全裕量。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，保证了其在严苛环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

凭借上述特性，STP315N10F7广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域。其典型应用场景包括汽车电子中的电机驱动（如电动助力转向、水泵、风扇）、DC-DC转换器、以及工业领域的开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和逆变器系统。在这些应用中，其高电流能力、低损耗和高温工作特性对于提升系统能效、功率密度和可靠性至关重要。

• 型号:STP315N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP315N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，属于符合AEC-Q101标准的汽车级DeepGATE， STripFET VII产品系列。该器件核心卖点在于其优异的功率处理能力与效率表现，其漏源电压（V_DSS）为100V，在壳温25°C下连续漏极电流（I_D）高达180A，最大功率耗散达315W。

其技术优势集中体现在极低的导通损耗上，在10V V_GS、60A I_D条件下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为2.7mΩ。同时，其栅极电荷（Q_G）典型值较低，有助于降低开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和汽车级可靠性认证，使其成为要求严苛的高功率、高效率开关应用的理想选择。