STP32N65M5

STP32N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和外延工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下的典型导通电阻仅为119毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。此外，其栅极总电荷（Qg）典型值低至72nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度和更高的工作频率，从而允许使用更小的磁性元件。

该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，其最大结温（Tj）高达150°C，在配备适当散热器的情况下，可支持高达150W（Tc）的功率耗散。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为24A，栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±25V，提供了宽泛且安全的驱动窗口。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料、样品及供应链支持。

凭借高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STP32N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的中高功率应用场景。其主要应用领域包括工业级开关电源、服务器电源、通信电源的功率级设计，以及不间断电源（UPS）、电机驱动和照明镇流器的功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路对于理解高效功率MOSFET的选择与评估仍具有重要参考价值。

• 型号:STP32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP32N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和24A（Tc）的连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其关键优势在于实现了低导通损耗与良好开关特性的结合。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为119毫欧（@12A），同时栅极电荷（Qg）低至72nC，这有助于提升电源转换效率并降低驱动损耗。该器件适用于需要高可靠性和高效率的工业电源、功率因数校正（PFC）及电机控制等应用领域。