STU1HN60K3

STU1HN60K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I-PAK封装，专为在高压、高效率的应用中提供可靠的开关性能而设计。其核心架构通过优化的单元结构和沟槽工艺，在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了更低的传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

该器件具备600V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换、电机驱动等场景中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为1.2A，结合仅8欧姆（在600mA，10V条件下）的低导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有出色的电流处理能力和较低的功率耗散。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。

在动态特性方面，极低的栅极电荷（Qg，最大值9.5nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值140pF @ 50V）是其显著优势。这些参数直接关系到开关速度的快慢和驱动电路的功率需求，较低的Qg和Ciss意味着更快的开关频率、更低的驱动损耗以及更简化的栅极驱动设计，这对于提升开关电源的功率密度和频率至关重要。器件的最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了较强的栅极保护能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为27W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。对于需要可靠供应链的批量项目，可以咨询授权的ST一级代理获取供货与技术支持。

综合其电气参数与封装特性，STU1HN60K3非常适用于中小功率的离线式开关电源（SMPS），如辅助电源、适配器和LED驱动电源的初级侧开关。同时，它在电磁炉、风扇调速等家用电器中的功率控制部分，以及工业照明镇流器、继电器驱动等需要高压开关的场合，也能发挥其高效、可靠的性能。其通孔I-PAK封装兼顾了散热性能与PCB板焊接的机械强度，适合在注重长期可靠性的设计中采用。

• 型号:STU1HN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU1HN60K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与1.2A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8欧姆，有助于减少导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值9.5nC）和输入电容（Ciss，最大值140pF）确保了快速的开关瞬态，有利于提高系统效率和工作频率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保障了其在恶劣环境下的稳定运行。