STP32NM50N

STP32NM50N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，在硅片层面实现了低比导通电阻（RDS(on)）与低栅极电荷（Qg）的良好平衡。其内部架构专为降低开关损耗而设计，通过精细的单元布局和先进的工艺控制，确保了在高压、大电流工作条件下的高可靠性与稳定性。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。它具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id）承载能力，为高压开关应用提供了坚实的保障。其导通电阻在典型工作条件下（11A，10V Vgs）仅为130毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大62.5nC的栅极电荷（Qg）和优化的内部电容特性，使得开关速度更快，开关过程中的能量损失显著减少，尤其适用于高频开关电路。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大结温（Tj）可达150°C，配合适当的散热设计，可实现高达190W的功率耗散。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，且栅极电压耐受值（Vgs）高达±25V，增强了系统的鲁棒性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

STP32NM50N非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的中高功率场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动与变频器中的逆变和整流电路、不间断电源（UPS）以及高效照明系统的电子镇流器。其平衡的性能参数使其成为工程师在构建500V级高压、数千瓦功率等级电源解决方案时的可靠选择。

• 型号:STP32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP32NM50N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP32NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）和22A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值低至130毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值62.5nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统工作频率并减少开关损耗。这些特性共同指向了更高的整体能效和功率密度。

该器件设计坚固，最大结温达150°C，适用于要求严苛的工业环境，是开关电源、电机驱动和功率转换等中高功率应用的理想功率开关元件。