STP34NM60ND

作为ST意法半导体FDmesh II产品系列中的一员，STP34NM60ND是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET，其核心架构基于先进的FDmesh II技术平台。该技术通过优化单元结构和工艺，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优异的品质因数（FOM），这直接决定了器件在高频开关应用中的效率表现。其600V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了宽裕的安全裕度，确保在工业级AC线路电压及功率因数校正（PFC）等场合下的可靠运行。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的开关性能与导通特性上。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达29A，而导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）、14.5A漏极电流下最大仅为110毫欧，这意味着在导通期间产生的传导损耗被控制在很低的水平。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为80.4nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），显著降低了驱动电路的负担和开关损耗，使得高频开关操作成为可能，从而有助于提升整体电源系统的功率密度。

在接口与关键参数方面，STP34NM60ND采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高达190W（Tc）的功率耗散能力，其结温（Tj）最高可工作在150°C，展现了良好的热性能。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，为驱动电路设计提供了灵活性。阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备一定的抗干扰能力。这些参数共同描绘出一个高效、坚固的功率开关形象，用户可以通过授权的ST代理商获取完整的技术资料与支持。

基于上述特性，STP34NM60ND非常适合于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源电力转换设备。其平衡的性能参数使其成为工程师在优化系统效率、成本与可靠性时的优选功率器件之一。

• 型号:STP34NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP34NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和29A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，为工业级功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为110毫欧，有效降低了导通损耗。同时，最大80.4nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，降低了开关损耗，这对于提升开关电源和电机驱动等应用的效率至关重要。器件支持高达150°C的结温工作，热性能可靠。