STP36N60M6

STP36N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了卓越的开关性能与导通损耗的平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部寄生电容，这对于提升高频开关应用的效率至关重要。作为ST旗下高性能功率开关管系列的代表，其技术架构旨在满足现代电力电子系统对高功率密度和高可靠性的严苛要求。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了在工业级AC-DC变换或电机驱动等高压场合下的安全裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达30A，配合仅99毫欧（典型值）的低导通电阻，能够有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。栅极驱动方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，标准驱动电压为10V，这使其既能兼容主流控制器输出，又具备良好的抗干扰能力。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在44.3nC，结合1960pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于提高开关频率，减小磁性元件体积。

在封装与可靠性层面，STP36N60M6采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，其最大功率耗散能力为208W（Tc）。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境温度波动。这些参数共同指向一个核心优势：在高压、大电流的开关应用中实现高效率与高鲁棒性的统一。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品，确保原装正品和完备的售前售后服务。

基于其性能参数，该器件非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换级，尤其是那些追求高效率和紧凑设计的服务器电源、通信电源及工业电源。在电机控制领域，它是变频器、伺服驱动器以及家用电器中无刷直流（BLDC）电机驱动的理想选择。此外，在照明系统如LED驱动、以及各类工业设备的逆变器和DC-AC变换器中，STP36N60M6都能凭借其优异的开关特性与坚固性，为系统提供稳定可靠的核心功率开关解决方案。

• 型号:STP36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与30A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至99毫欧的导通电阻（Rds(on)），为高压大电流应用提供了优异的导通性能与功率处理能力。

其电气参数经过优化，栅极电荷（Qg）仅为44.3nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统效率。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及功率变换等高要求应用中的高效、可靠选择。