STP3LN62K3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP3LN62K3是一款采用TO-220封装的高压N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH3技术产品系列。该器件基于优化的垂直架构设计，通过创新的单元结构和工艺技术，在单位芯片面积内实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡，旨在为高压开关应用提供高效率与高可靠性的解决方案。

该MOSFET的核心优势在于其出色的动态与静态性能。其漏源击穿电压（Vdss）高达620V，确保了在严苛的离线式电源或电机驱动环境下的稳定工作裕量。在导通特性方面，当栅源驱动电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至3欧姆（测试条件为1.25A），这直接有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体能效。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为17nC（@10V），结合386pF的输入电容（Ciss @50V），意味着器件具备快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑。

在电气参数与接口方面，STP3LN62K3设计有宽泛的安全工作区。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，为栅极驱动电路的设计提供了充分的灵活性。器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，最大功耗为45W。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范畴，便于与常见的控制器直接接口。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和库存信息。需要注意的是，该器件的工作结温（Tj）最高可达150°C，并已进入停产状态，在新设计选型时应予以考虑。

凭借其高压、低损耗的特性组合，STP3LN62K3非常适用于需要高效功率转换和管理的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和继电器替代等。其通孔TO-220封装形式兼顾了良好的散热性能与便于手工焊接或插装的特点，适合在多种工业与消费类电力电子设备中部署。

• 型号:STP3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3LN62K3是ST意法半导体基于SuperMESH3技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件提供620V的漏源击穿电压和2.5A的连续漏极电流，其核心卖点在于优异的导通电阻与栅极电荷的比值，在10V驱动电压下导通电阻仅为3欧姆，同时栅极电荷低至17nC，这使其在高压应用中能同时实现低导通损耗和高开关频率下的低开关损耗。

器件采用标准的TO-220通孔封装，最大功耗为45W，支持高达150°C的工作结温，确保了在紧凑空间内的散热可靠性。这些特性使其成为离线式电源、功率因数校正和低功率电机驱动等高效能转换设计的理想选择。