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STT13005D

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 400V 2A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,STT13005D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STT13005D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STT13005D是一款由ST意法半导体设计生产的高压NPN双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-225AA(TO-126-3)通孔封装。其核心架构基于成熟的硅平面工艺,旨在提供高耐压与中等电流驱动能力之间的可靠平衡。该器件内部集成了一个经过优化的垂直结构NPN晶体管,其设计重点在于确保在高达400V的集电极-发射极电压下,仍能维持稳定的开关与放大性能,同时通过合理的芯片布局和封装设计,实现了高达45W的功率耗散能力,以满足在恶劣电气环境下的长期工作要求。

该晶体管的功能特点突出体现在其高压处理与功率承载能力上。400V的集射极击穿电压使其成为离线式开关电源、电子镇流器以及电机控制电路中高压侧开关的理想选择。其集电极最大持续电流为2A,配合较低的饱和压降(典型值1.5V @ 400mA, 1.6A),有助于减少导通状态下的功率损耗,提升整体能效。尽管其直流电流增益(hFE)在高压大电流条件下相对保守(最小值10 @ 500mA, 5V),但这恰恰保证了器件在苛刻工况下的线性度与稳定性,避免了因增益过高可能引发的热失控风险。此外,其集电极截止电流被严格控制在250A以下,有效降低了关断状态下的静态功耗。

在接口与关键参数方面,STT13005D提供了标准的三引脚(发射极、基极、集电极)通孔接口,便于在PCB板上进行可靠的焊接与散热。其工作结温高达150°C,赋予了产品更宽的安全工作温度范围,增强了系统在高温环境下的鲁棒性。值得注意的是,该器件已处于停产状态,这意味着对于新设计,工程师需要评估替代方案或确保有足够的库存支持;对于现有产品的维护与生产,可以通过正规的ST授权代理渠道获取原装正品,以保证供应链的可靠性与产品质量的一致性。

基于其技术参数,STT13005D的传统应用场景主要集中在需要高压开关和线性放大的工业与消费电子领域。典型应用包括荧光灯和LED驱动器的电子镇流器、AC-DC开关电源(SMPS)中的功率开关管、CRT显示器的行输出电路,以及小型交流电机的驱动与控制电路。其坚固的封装和良好的热特性使其能够适应这些应用中常见的电应力与热应力挑战,尽管随着技术演进,其在许多新设计中已被更高效的MOSFET等器件所替代,但在特定的维修、旧系统升级或对成本极其敏感的设计中,它仍然是一个经过市场长期验证的可靠选择。

  • 型号:STT13005D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 400V 2A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):400 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 400mA,1.6A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大值:45 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
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STT13005D是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管,采用TO-225AA通孔封装。其核心卖点在于高达400V的集射极击穿电压和2A的集电极电流能力,能够胜任离线电源等应用中的高压开关任务。

该器件在500mA、5V条件下提供最小值为10的直流电流增益,并具有低至1.5V的饱和压降,有助于优化导通损耗。其最大功耗为45W,工作结温可达150°C,展现了良好的功率处理能力和热稳定性。这些参数使其在电子镇流器、电源转换及电机控制等传统高压应用中,成为一个可靠的选择。

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