STP3N150

作为ST意法半导体PowerMESH系列中的一员，STP3N150是一款采用N沟道技术的高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其核心架构基于先进的PowerMESH工艺，该工艺通过优化的单元结构和垂直布局，在硅片层面实现了低导通电阻与高击穿电压之间的出色平衡。这种设计使得器件在承受高达1500V的漏源电压（Vdss）时，依然能保持稳定的电气性能，为高压开关应用提供了坚实的物理基础。

该器件的功能特点主要体现在其高压处理能力和开关效率上。高达1500V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业电源、功率因数校正（PFC）等场合中的高压应力。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为29.3nC，结合939pF的输入电容（Ciss），意味着其开关速度快，栅极驱动损耗小，有利于提升高频开关应用的性能。其功率耗散能力在管壳温度（Tc）下可达140W，结合TO-220AB封装良好的散热特性，确保了在连续工作条件下的可靠性。

在接口与关键参数方面，STP3N150采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热管理。其驱动逻辑兼容性强，栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大为5V，确保了与常见控制电路的兼容性和驱动的简易性。在25°C管壳温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，结温（Tj）最高可工作至150°C，这些参数共同定义了其稳健的工作边界。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST授权代理获取正品元件和设计资源。

基于其高压、中电流和快速开关的特性，STP3N150非常适用于一系列要求严苛的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中高压侧开关的理想选择，特别是在离线式反激、正激拓扑中。在工业领域，可用于电机驱动辅助电源、电焊机电源以及不间断电源（UPS）系统。此外，在照明领域，如电子镇流器和LED驱动的高压开关部分，也能发挥其性能优势。其设计旨在为工程师提供一个在效率、耐压和可靠性之间取得优异平衡的高性价比解决方案。

• 型号:STP3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3N150是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于高达1500V的漏源击穿电压（Vdss）和基于PowerMESH技术的低导通电阻特性，能够有效应对高压环境下的开关需求，同时降低导通损耗。

该器件在10V驱动电压下具备较低的栅极电荷（Qg，最大29.3nC）和输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。其额定连续漏极电流为2.5A（Tc），最大功耗140W（Tc），结合宽泛的工作结温范围（最高150°C），为开关电源、工业电机驱动和功率转换等应用提供了可靠且高效的高压开关解决方案。