STP3N80K5

STP3N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心设计旨在实现高压环境下的高效率与高可靠性。其内部架构通过优化的单元结构和先进的制造工艺，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，这对于提升开关电源等应用的整体能效至关重要。

该器件具备800V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、照明驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1A电流条件下典型值仅为3.5欧姆，这一特性直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为9.5nC，结合130pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更低，有助于简化驱动设计并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，STP3N80K5的栅源电压（Vgs）最大额定值为±30V，确保了足够的驱动安全裕量。其阈值电压Vgs(th)最大为5V，提供了良好的噪声抑制能力。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并在壳温条件下最大功耗为60W，展现了强大的热性能。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以通过官方授权的ST一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

得益于其高压、低栅荷与良好的导通特性，STP3N80K5非常适用于要求高耐压和中等电流能力的场合。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及工业电机控制的辅助电源部分。其TO-220封装形式便于安装散热器，满足中小功率应用对热管理的需求，为工程师在高压功率转换设计中提供了一个经过验证的稳健选择。

• 型号:STP3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP3N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括高达800V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的电压耐受基础。

其技术优势体现在优异的动态性能上，最大栅极电荷（Qg）仅为9.5nC，导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下为3.5欧姆，这共同实现了更低的开关损耗和导通损耗，有助于提升系统整体效率。该器件适用于需要高耐压和中等电流开关能力的各种功率转换场景。