STP3NK90ZFP

STP3NK90ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。高达900V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级开关电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和尖峰，确保了系统在恶劣工况下的长期可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、1.5A漏极电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为4.8欧姆，较低的导通电阻直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在22.7nC（@10V），较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提高开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热性能，其通孔安装方式便于在各类PCB上实现稳固的电气连接和热管理。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定值为3A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的环境温度要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取正品器件及相关设计资源。

基于其高耐压、良好的开关性能以及稳健的封装，STP3NK90ZFP非常适合于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，并凭借其高可靠性保障终端产品的长期稳定运行。

• 型号:STP3NK90ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP3NK90ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其900V的高漏源耐压（Vdss）与4.8欧姆的低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这使其在高压应用中能显著降低导通损耗。

此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22.7nC，有助于实现快速的开关切换，从而减少开关损耗并提升系统效率。器件采用TO-220FP绝缘封装，额定连续漏极电流为3A（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，为设计高可靠性、高效率的功率转换解决方案提供了坚实的基础。