STP40NF10

STP40NF10是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关性能与导通损耗之间取得了出色的平衡。其核心架构旨在满足高效率、高可靠性的功率开关应用需求，尤其适用于需要快速切换和高电流处理能力的场景。

该器件具备多项突出的功能特性。其100V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达50A，展现出强大的电流承载能力。更关键的是，在10V栅极驱动电压、25A漏极电流的测试条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为28毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为62nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的损耗，并实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，STP40NF10采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽泛，最大栅源电压（Vgs）为±20V，而确保完全导通的最小驱动电压为10V，阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，这为驱动电路设计提供了灵活性。器件的功率耗散能力在壳温条件下可达150W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的电气参数和物理特性，STP40NF10非常适合应用于各类中高功率的开关场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制电路（如直流电机、步进电机的H桥驱动）、不间断电源（UPS）的功率转换模块，以及各类DC-DC转换器和逆变器。其高电流、低损耗的特性使其成为提升系统整体能效和功率密度的理想选择。

• 型号:STP40NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP40NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括100V的漏源电压（Vdss）和高达50A（Tc）的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动、25A电流条件下，Rds(on)最大值仅为28毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，最大62nC的栅极电荷（Qg @ 10V）有助于实现高效的开关性能，减少驱动损耗并提升开关频率。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的电源转换与电机驱动应用的优选器件。