STP4NK50ZFP

STP4NK50ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化单元密度和沟道设计，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片集成于TO-220FP绝缘封装内，这种封装不仅提供了良好的机械强度和电气隔离性，也便于在通孔安装应用中实现有效的热管理。

该器件的主要功能特性围绕其高压、低损耗的设计展开。它具备500V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等应用中的高压应力环境。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为2.7欧姆，这直接转化为更低的通态功耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC，结合310pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量较低，有助于实现更高频率的开关操作并简化栅极驱动设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数与接口层面，STP4NK50ZFP在壳温（Tc）条件下可连续通过3A的漏极电流（Id），最大功耗为20W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准电平，兼容常见的控制器驱动输出。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障供应链可靠性的重要途径。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能使其在特定领域仍有应用价值。

基于其技术规格，STP4NK50ZFP非常适用于中低功率的离线式AC-DC电源转换场景。典型应用包括台式电脑、家用电器、工业控制设备的辅助电源（待机电源），以及LED照明驱动和电池充电器的功率级。在这些应用中，它常被用作主开关管或续流管，其500V的耐压为85VAC至265VAC全球通用输入电压下的反激式拓扑提供了充足的电压裕量，而其较低的导通电阻和栅极电荷则有助于优化电源的能效和功率密度。

• 型号:STP4NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP4NK50ZFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP4NK50ZFP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP绝缘封装。其核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其优化的动态性能与导通特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2.7欧姆（@1.5A），有效降低了传导损耗。同时，最大12nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在广泛环境条件下的稳定运行。