STP4NK80Z

STP4NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在800V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，同时将导通损耗控制在较低水平。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A电流条件下典型值仅为3.5欧姆，这有助于显著降低器件在导通状态下的功率损耗，提升整体能效。栅极电荷（Qg）最大值控制在22.5nC，结合适中的输入电容，意味着开关过程中的驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统的鲁棒性。

在接口与参数方面，STP4NK80Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现有效的热管理。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为3A，最大功率耗散能力达到80W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借800V的高耐压和良好的开关特性，这款器件非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效处理高压直流母线电压，实现高效的电能转换与控制，是工程师设计高可靠性、高能效功率系统的优选元件之一。

• 型号:STP4NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流（Id），采用TO-220AB通孔封装。

其技术亮点在于实现了高耐压与低损耗的优化组合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.5Ω @ 1.5A，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为22.5nC，这共同保障了较低的导通损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和80W的功率耗散能力，进一步确保了其在各种功率转换应用中的稳定性和可靠性。