STP50N60DM6

STP50N60DM6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性。

该MOSFET的突出特性体现在其600V的漏源击穿电压（Vdss）和低至80毫欧的导通电阻（在10V Vgs和18A Id条件下）。这种低Rds(on)特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）典型值仅为55nC（在10V Vgs条件下），结合适中的输入电容（Ciss），使得器件在开关过程中所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在接口与电气参数方面，该器件采用标准的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达36A，最大允许栅源电压（Vgs）为±25V，提供了宽裕的安全设计余量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值典型，确保了良好的噪声免疫能力和可靠的导通控制。高达250W（Tc）的功率耗散能力和宽广的结温工作范围（-55°C 至 150°C），使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过ST授权代理获取此产品及相关设计资源。

凭借高耐压、低导通与开关损耗的组合，STP50N60DM6非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主变换器、工业电机驱动和变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等高性能设备。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，减少散热需求，从而优化系统成本和体积。

• 型号:STP50N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2350 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP50N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件设计用于高效功率开关，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和36A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为80毫欧，有效降低了导通损耗；同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值55nC @ 10V）有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220封装，支持高达250W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。