STP5N52K3

作为ST意法半导体SuperMESH3产品家族中的一员，STP5N52K3是一款采用先进沟槽栅极技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，确保了良好的机械强度和散热能力，便于在各类电源和电机控制板上进行安装与热管理。

该MOSFET的突出特性在于其525V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级应用中的电压应力和开关瞬态。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在导通期间具有更小的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。

在电气参数上，STP5N52K3在壳温（Tc）条件下可支持高达4.4A的连续漏极电流，最大功耗为70W。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或微控制器PWM信号的兼容性，而±30V的最大栅源电压则提供了稳健的驱动安全裕量。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

凭借其高耐压和良好的开关性能，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等领域。在这些场景中，它能够有效承担功率开关的核心角色，帮助实现高效、紧凑的电源转换解决方案。

• 型号:STP5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合优化的导通电阻，为高压开关应用提供了可靠的性能基础。

其电气参数显示，在壳温条件下可支持4.4A的连续电流，最大功耗70W。优化的栅极电荷（典型值14nC @10V）有助于实现较低的开关损耗，提升系统效率。该器件设计用于要求高耐压和高效开关的场合，如开关电源和电机控制。