STP5N62K3

STP5N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计目标是在高耐压条件下，显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体电源系统的效率与功率密度。

该器件具备一系列关键电气特性，使其在高压开关应用中表现出色。其620V的漏源击穿电压（Vdss）为离线式开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.6欧姆（条件：2.1A），这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在26nC（@10V），结合680pF的输入电容（Ciss），意味着它所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

在封装与可靠性层面，STP5N62K3采用工业标准的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其结壳热阻（RthJC）特性支持高达70W（Tc）的功率耗散。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但在许多既有设计和备件供应中仍具参考价值，用户可通过正规的ST芯片代理渠道咨询库存或替代方案信息。

综合其技术参数，该MOSFET非常适用于需要高效高压开关的场合。典型应用包括离线式开关电源的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制中的DC-DC转换器。其性能组合使其成为在成本与效率之间寻求平衡的中等功率设计的优选器件之一。

• 型号:STP5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括620V的漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流（Tc），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.6欧姆，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大26nC）和输入电容（Ciss，最大680pF）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，从而提升整体能效。这些特性使其适用于对效率和可靠性有要求的开关电源及功率转换场景。