STP5N95K3

STP5N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压应用中的电场分布，从而确保在高达950V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，同时将导通损耗控制在较低水平。

该MOSFET的显著特性体现在其高压性能与开关特性的结合上。其漏源电压额定值高达950V，为离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路等高压环境提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较小，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计，降低开关损耗。

在电气参数与物理接口层面，STP5N95K3在壳温（Tc）条件下可支持4A的连续漏极电流，最大功率耗散为90W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较宽的驱动安全区间。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。器件采用标准的TO-220通孔封装，这种封装形式机械强度高，热性能优良，便于通过散热器进行有效热管理，其工作结温范围为-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠货源与技术支持的设计项目，可以咨询专业的ST一级代理以获取更详细的产品生命周期支持方案。

得益于其高耐压、良好的开关效率以及坚固的封装，这款MOSFET非常适用于需要处理高电压的功率转换领域。典型应用包括工业级开关电源、LED照明驱动电源、电视机和显示器电源的初级侧拓扑结构。它也适用于辅助电源、焊机电源以及某些类型的电机驱动缓冲电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高压MOSFET技术思路，对于理解类似应用的器件选型与电路设计仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源击穿电压（Vdss）与优化的导通特性，在高压应用中能提供可靠的电压阻断能力和较低的导通损耗。

其技术参数针对高效开关应用进行了平衡，在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为19nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散达90W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，适合要求高可靠性的工业级电源设计。