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SMM4F10A-TR的图片

SMM4F10A-TR

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 10VWM 21.7VC DO222-AA
原厂封装:封装:STmite 平台(DO222-AA)
优势价格,SMM4F10A-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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SMM4F10A-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

SMM4F10A-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的SMM4F系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品。该器件采用先进的硅半导体工艺制造,其核心架构基于高性能的齐纳二极管技术,旨在为敏感的电子线路提供快速、可靠的过压保护。其设计核心在于利用半导体PN结的反向击穿特性,当电路中出现超过其击穿电压的瞬态高压尖峰时,器件能在皮秒级时间内迅速响应,从高阻态转为低阻态,将过高的电压能量分流或吸收,从而将受保护线路上的电压箝位在一个安全的预定水平。

该TVS二极管具备一系列突出的功能特点。其10V的反向断态工作电压使其非常适合保护工作电压在5V或3.3V等低压逻辑电路。当瞬态电压达到11.4V(最小值)时,器件开始击穿并发挥作用,其最大箝位电压在特定脉冲电流下仅为21.7V,这意味着它能将可能高达数百伏的瞬态浪涌电压迅速限制在21.7V以内,为后端IC提供了强有力的屏障。同时,它拥有高达106A(8/20s波形)的峰值脉冲电流处理能力以及400W的峰值脉冲功率,能够吸收并耗散由静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或雷击感应浪涌等事件产生的大量能量。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 175°C)确保了器件在极端环境下的稳定性和可靠性。

在接口与参数方面,SMM4F10A-TR为单向保护器件,包含一个保护通道,采用表面贴装型的DO-222AA(SMB Flat)封装,便于自动化生产并节省PCB空间。其设计针对通用型应用,不具备特定的电源线路滤波功能,专注于纯粹的瞬态能量抑制。对于需要采购正品且供货稳定的客户,通过官方授权的ST一级代理渠道是确保产品性能和可靠供应链的重要途径。

得益于其稳健的性能参数,SMM4F10A-TR在众多应用场景中扮演着关键角色。它广泛应用于通信设备(如路由器、交换机)、工业控制系统、汽车电子模块、消费电子产品以及任何采用低压数字电路(如USB端口、数据线、I/O接口、电源输入线)的领域,用于防护因热插拔、感性负载切换或外部电磁干扰引起的电压瞬变。其通用型设计使其成为工程师在电路板初级或次级侧进行过压保护设计时的一个标准化、高性价比的优选方案。

  • 型号:SMM4F10A-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:STmite 平台(DO222-AA)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 10VWM 21.7VC DO222-AA
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):10V
  • 电压 - 击穿(最小值):11.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):21.7V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):106A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:400W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-222AA
  • 供应商器件封装:STmite 平台(DO222-AA)
  • 想获取SMM4F10A-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SMM4F10A-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于TRANSIL产品系列。该器件设计用于为电子线路提供高效的过压保护。

其核心特性包括10V的反向工作电压、最低11.4V的击穿电压以及最大21.7V的箝位电压,能迅速将危险的高压瞬变限制在安全范围内。该器件可承受高达106A的峰值脉冲电流和400W的峰值脉冲功率,确保在ESD、浪涌等事件中可靠工作。其工作结温范围宽达-55°C至175°C,采用DO-222AA封装,适用于通用的低压电路保护场景。

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