STPS6M100DEE-TR

STPS6M100DEE-TR是ST意法半导体推出的一款采用先进封装技术的单路肖特基整流二极管。该器件基于优化的硅肖特基势垒结构，其核心在于利用金属-半导体结实现整流功能，相较于传统的PN结二极管，这种架构从根本上降低了正向导通压降和开关损耗。其内部结构经过精心设计，在保证高反向耐压的同时，有效控制了结电容，从而实现了快速开关特性，这对于现代高效率电源转换至关重要。

该二极管具备多项突出的电气特性。其最大反向重复电压高达100V，平均正向整流电流为6A，为中等功率应用提供了可靠的性能裕量。尤为关键的是，其在6A额定电流下的典型正向压降仅为780mV，这一低Vf值直接转化为更低的导通损耗和更优的温升表现，显著提升了系统的整体能效。作为一款快速恢复肖特基二极管，其开关速度优异，反向恢复时间极短，这使其在高速开关电路中能够有效减少开关噪声和损耗。此外，在100V反向电压下，其反向漏电流典型值仅为30A，体现了出色的反向阻断能力，有助于降低待机功耗。对于需要可靠技术支持和供货保障的客户，可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询。

在物理实现上，该器件采用表面贴装技术，封装为紧凑的8-PowerTDFN，具体为ST的PowerFlat（3.3x3.3）封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能，通过裸露的焊盘将芯片产生的热量高效传导至PCB，还极大地节省了电路板空间，非常适合高密度设计。其稳健的封装结构确保了器件在恶劣环境下的长期可靠性。

综合其高电压、大电流、低损耗和快速开关的特性，STPS6M100DEE-TR非常适用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流、直流-直流转换器的输出整流、电机驱动电路中的续流二极管，以及各类消费电子、工业设备和汽车电子系统中的极性保护和OR-ing（冗余电源）功能。其快速恢复特性也使其成为高频逆变器和功率因数校正（PFC）电路中的理想选择。

• 型号:STPS6M100DEE-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 6A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):780 mV @ 6 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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STPS6M100DEE-TR是STMicroelectronics生产的一款100V、6A单路肖特基整流二极管，采用先进的PowerFlat表面贴装封装。其核心优势在于极低的正向导通压降（典型值780mV @ 6A），这直接转化为更高的系统效率和更低的工作温升。

该器件兼具快速恢复特性与高反向电压承受能力，反向漏电流在100V时仅为30A。紧凑的3.3x3.3mm封装提供了出色的热性能，使其成为空间受限且要求高效率的中等功率应用的理想解决方案，广泛适用于开关电源、DC-DC转换及电机驱动等领域。